半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070054
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 1つの制御ゲート電極によって2つの浮遊ゲート電極を独立に制御することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】第1のゲート絶縁膜2上に第1の浮遊ゲート電極3が形成され、その第1の浮遊ゲート電極3上に第1の層間絶縁膜4を介して制御ゲート電極5が形成されている。また、第2の浮遊ゲート電極12が制御ゲート電極5の上部に位置するとともに第2の不純物拡散層14と重なるように第2のゲート絶縁膜10上にまで延びて形成されている。また、第1の不純物拡散層13は第1の浮遊ゲート電極3の一端と重なるように形成されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面上にチャネル領域を規定するように所定の間隔を隔てて形成された第2導電型の第1および第2の不純物領域と、前記チャネル領域上に第1のゲート絶縁膜を介して前記第1の不純物領域とその一端が重なるように形成された第1の浮遊ゲート電極と、前記第1の浮遊ゲート電極の上部表面上に第1の層間絶縁膜を介して形成された制御ゲート電極と、前記制御ゲート電極の上部表面上および側部表面上に第2の層間絶縁膜を介して形成されるとともに、前記チャネル領域上に第2のゲート絶縁膜を介して前記第2の不純物領域とその一端が重なるように形成された第2の浮遊ゲート電極とを備えた、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/80

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/80

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