特許
J-GLOBAL ID：200903058938142983
光半導体装置、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300647
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162701
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 良好な素子分離特性及び広い変調帯域幅を有する集積型光半導体装置、及びその製造方法を提供する。【構成】 DFBレーザ101と光吸収変調器102が集積化された光半導体装置において、それらのリッジ型導波路14及びその両脇の埋め込み層が連続しており、この埋め込み層は下部半絶縁性FeドープInP層8、n型InPホールブロッキング層9、上部半絶縁性FeドープInP層10が積層されてなる。【効果】 p型InP第2上クラッド層5とn型InPホールブロッキング層9の間の容量は、これら2層間に上部半絶縁性FeドープInP層10が存在するため、低減される。このため、DFBレーザ101と光吸収変調器102の間の相互干渉が抑制され、光変調器の寄生容量が低減されるため、変調帯域幅を広帯域化することができる。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上に形成された複数の光半導体素子を有し、そのそれぞれがリッジ型導波路及び、その両脇に設けられた埋め込み半導体層を有し、該埋め込み半導体層が、上記複数の光半導体素子にわたって連続した層をなしている光半導体装置において、上記埋め込み半導体層は、半絶縁性半導体層上に、上記半導体基板と同じ導電型の半導体からなるキャリアブロッキング層とその上の半絶縁性半導体層との半導体層対を単数または複数積層してなるものであることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/10
, H01L 27/15
, H01S 3/18
