特許

J-GLOBAL ID：200903058943307397

荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置

発明者： 清水 弘泰
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-295157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144583
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 各サブフィールド内において最小線幅パターンの像ボケを最小とすることができる荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置の提供。【解決手段】 記憶部141にマスク100の各サブフィールドSf内の最小線幅パターン位置を記憶し、投影レンズ8,9のレンズ収差と偏向器3,6による荷電粒子線の偏向量に依存する偏向収差とによって生じる最小線幅パターンの像ボケが最小となるように、最小線幅パターン位置および偏向器3,6による荷電粒子線の偏向量に基づいて投影レンズ8,9の焦点距離を演算部142により算出し、投影レンズ8,9の焦点距離が算出された焦点距離と等しくなるように制御装置14により励磁が制御される。

請求項（抜粋）：

パターンが形成され複数のサブフィールドに分割されたマスクに荷電粒子線を照射し、電子光学系および偏向器を用いて前記各サブフィールド毎に前記マスクのパターン像を感応基板上に投影する荷電粒子線投影方法において、前記サブフィールド内の最小線幅パターン位置に基づいて前記最小線幅パターン位置のパターン像のボケが最小となるように前記電子光学系の焦点距離を設定したことを特徴とする荷電粒子線投影方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305

FI (4件)：

H01L 21/30 541 F ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 S