特許
J-GLOBAL ID：200903058947615410
MOSFET及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165000
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005852
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 表面チャネル型デバイスを実現し、かつ、電極の配線抵抗が低く、しかも、ゲート耐圧劣化等が抑制されるMOS特性を安定化する。【構成】 MOSFETの製造方法において、第1導電型の半導体基板あるいは半導体層のゲート形成領域上にゲート酸化膜103を形成し、そのゲート酸化膜103上に第1の高融点金属膜である窒化チタン膜104を形成し、その窒化チタン膜104上にその窒化チタン膜104とは相反する応力をもつ第2の高融点金属膜であるタングステン膜105を形成し、ホトリソグラフィ技術によりパターニングを行い、前記窒化チタン膜104とタングステン膜105によりゲート電極を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板と、(b)該半導体基板の表層に形成されたソース及びドレイン領域と、(c)該ソース及びドレイン領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート酸化膜と、(d)該ゲート酸化膜上に形成された第1の高融点金属膜と、(e)該第1の高融点金属膜上に形成され、かつ該第1の高融点金属膜とは相反する応力をもつ第2の高融点金属膜とを具備することを特徴とするMOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 29/62
