特許
J-GLOBAL ID：200903058953137180
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006740
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199629
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】本発明は、セラミックBGAパッケージにおいて、パッケージ厚を薄くできるようにするとともに、半導体素子からの熱を効果的に放熱できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、パッケージ基材11に貫通孔を形成してキャビティ部11Aを形成する。そして、このキャビティ部11A内に落とし込むようにして半導体素子12を搭載するとともに、その半導体素子12をダイアタッチ材15を用いてヒートシンク14に貼り付ける。これにより、現行のセラミックBGAパッケージよりも薄型で、しかも、熱放散性が高くて高消費電力素子の搭載に好適なBGAパッケージを実現する構成となっている。
請求項（抜粋）：
電極パッドを有してなる半導体素子と、この半導体素子が埋設される凹部の少なくとも一部が貫通されてなり、かつ、その貫通孔の周囲に前記半導体素子の電極パッドと電気的に接続される配線パッドが配設されてなるパッケージ基材と、このパッケージ基材の裏面に設けられ、前記配線パッドと接続された、該パッケージ基材を実装ボード上に表面実装するための球状電極と、前記パッケージ基材上の貫通孔を介して、前記半導体素子が接触される金属板とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 23/36 C
