特許

J-GLOBAL ID：200903058954165780

金属画像の形成方法

発明者： 高木 良博 ,  長田 宗一郎
出願人/特許権者： 富士フイルムオーリン株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351521
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186697
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 金属薄膜の膜厚の均一性が高く、線幅の変動も少ない高度に微細な金属薄膜のパターン画像を安価で簡易に作製できる微細金属電子回路パターンを作製する方法を提供する。【解決手段】 水溶性金属化合物と還元性化合物とを含有し、還元性化合物の酸化電位が水溶性金属化合物の還元電位よりも卑(低電位)であるように調製したアルカリ性水溶液を、フォトレジスト材料を用いて形成させた微細なレジストパターンを表面に有する基板と接触させて、基板上に金属薄膜を沈着させたのち、レジストパターンを剥離して、微細な金属薄膜パターンを形成する金属画像の形成方法。

請求項（抜粋）：

水溶性金属化合物と還元性化合物とを含有し、還元性化合物の酸化電位が水溶性金属化合物の還元電位よりも卑(低電位)であるように調製したアルカリ性水溶液を、フォトレジスト材料を用いて形成させた微細なレジストパターンを表面に有する基板と接触させて、該水溶液から該基板上に金属薄膜を沈着させたのち、該レジストパターンを剥離して、微細な金属薄膜パターンを形成することを特徴とする金属画像の形成方法。

IPC (5件)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/31 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 521

FI (5件)：

H05K 3/18 E ,  C23C 18/16 A ,  C23C 18/31 B ,  G02F 1/1343 ,  G03F 7/40 521