特許
J-GLOBAL ID：200903058956510345
測定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-044721
公開番号（公開出願番号）：特開2007-225354
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】試料等の測定対象物に接した薄膜層と誘電体ブロックとの界面で光ビームを全反射させてエバネッセント波を発生させ、それにより全反射した光ビームの強度に表れる変化を測定して試料の分析を行う測定装置において、光検出手段としてCCDを用いた場合でも高S/Nを確保する。【解決手段】光ビームLのビーム幅方向を発散させ、CCD17により受光される光ビームLの像のビーム幅方向における最大幅WLを、CCD17のビーム幅方向Xの検出領域幅WDの60%以上となるようにして、CCD17の検出領域において光ビームLの入射していない画素、すなわちS/Nの悪い(測定信号に対して暗電流ノイズが多い)画素を少なくすることにより、CCD17のビーム幅方向の画素のビニング(加算平均化)処理する際のS/Nを向上させる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
光ビームを発生させる光源と、
前記光ビームに対して透明な誘電体ブロック、該誘電体ブロックの一面に形成された薄膜層、および該薄膜層の表面上に試料を保持する試料保持部を備えてなる測定チップと、
前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して前記誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件が得られる種々の角度で入射させる入射光学系と、
前記界面で全反射した光ビームの像を互いに直交する反射角度方向とビーム幅方向との二次元状に配列された複数画素からなる二次元画像として検出する光検出手段とを備えてなる測定装置において、
前記光検出手段により受光される光ビームの像の前記ビーム幅方向における最大幅が、前記光検出手段の前記ビーム幅方向の検出領域幅の60%以上となるように構成されていることを特徴とする測定装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
2G059BB04
, 2G059CC16
, 2G059EE02
, 2G059FF08
, 2G059FF11
, 2G059GG01
, 2G059JJ11
, 2G059JJ12
, 2G059JJ13
, 2G059JJ20
, 2G059JJ22
, 2G059KK04
, 2G059MM03
, 2G059MM15
, 2G059NN02
, 2G059NN05
, 2G059NN08
