特許

J-GLOBAL ID：200903058956820140

半導体素子用電極パッド、半導体装置及びその製造方法

発明者： 古川 昭雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105406
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299319
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 高周波で動作でき、しかも低い雑音指数を実現する半導体素子用電極パッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上の絶縁膜上で素子のない領域の上に網目状の電極パッドを形成し、その下の絶縁膜中または基板表面上に該電極パッドと同程度の面積を有する金属層またはシリサイド層を形成した構造とし、動作時に該金属層またはシリサイド層を一定電位に保つ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体素子と絶縁膜を介して接続せしめられている当該絶縁膜上に形成された電極パッドであり、当該電極パッドは、基板抵抗により発生される熱雑音電圧の伝播を抑制するか、当該熱雑音電圧の発生を抑制する機能が付与されていることを特徴とする半導体素子用電極パッド。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/88 S

Fターム (13件)：

5F033HH06 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM22 ,  5F033VV03 ,  5F033VV07 ,  5F033XX25 ,  5F044EE01 ,  5F044EE17 ,  5F044EE21

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-205853
  
• 特開昭63-010542
  
• 特開平3-205853
  
• 特開昭63-010542
  
• 特開昭53-056968