特許

J-GLOBAL ID：200903058958890382

異方導電性材料

発明者： 中田 秀一 ,  島村 泰樹
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184949
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】異方導電性材料によるICチップ実装では、ヒートサイクルにより基板との間にクラックが入りやすく、金バンプが形成されているLSIチップを直接基板上に光硬化性樹脂を用いて接合する場合には、樹脂の硬化収縮性だけにより接合するため、十分な安定した導電性を有し得ないという課題があった。【解決手段】電極間の電気的接合を得る異方導電性材料の中の金属粒子の金属濃度が粒子の表層から中心部へと連続的に変化し、融点が表層から中心部にいくに従って傾斜的に変化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

樹脂層中に導電性粉末を有し、接合する電極の間に挟んで圧着し硬化することにより電極間の電気的接合を得る異方導電性材料において、前記導電性粉末の金属粒子の金属濃度が粒子の表層から中心部へと連続的に変化し、融点が表層から中心部にいくに従って傾斜的に変化することを特徴とする異方導電性材料。

IPC (4件)：

H01B 5/16 ,  H01B 5/00 ,  H01R 11/01 ,  H05K 3/32

FI (4件)：

H01B 5/16 ,  H01B 5/00 F ,  H01R 11/01 A ,  H05K 3/32 B

Fターム (11件)：

5E319AC02 ,  5E319AC04 ,  5E319BB11 ,  5E319BB12 ,  5E319BB13 ,  5E319BB16 ,  5E319CC61 ,  5G307AA08 ,  5G307HA02 ,  5G307HB03 ,  5G307HC01