特許

J-GLOBAL ID：200903058959826084

金属バリア接着性が改良された、シリコン-炭素-酸素誘電体を有する半導体デバイス、及びその形成方法

発明者： リチャード エイ、フォースト ,  ノエル エム、ラッセル ,  リ チェン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-412698
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193621
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】OSGと銅の間にバリア層を設ける場合、OSGに対するバリア層の接着性が許容し得ないものであるという従来技術の欠点を改良する代替の実施形態を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ上に形成された電子デバイス(200)を製造する方法(100)。本方法は、ウェーハに対する固定位置に誘電体層(226)を形成する。ここで、前記誘電体層は、シリコン、炭素、及び酸素の各々をある原子濃度で含む。前記形成ステップの後、本方法は、前記誘電体層の一部における炭素の原子濃度が上昇し、前記誘電体層の一部における酸素の原子濃度が低下するように、前記電子デバイスをプラズマに暴露する(118)。暴露ステップの後、本方法は、前記誘電体層の少なくとも一部に隣接してバリア層を形成する(120)。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上に形成される電子デバイスの製造方法であって、 前記ウェーハに対する固定位置に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、シリコン、炭素、及び酸素の各々をある原子濃度で含むステップと、 前記形成ステップの後、前記誘電体層の一部における炭素の原子濃度が上昇し、前記誘電体層の一部における酸素の原子濃度が低下するように、前記電子デバイスをプラズマに暴露するステップと、 前記暴露ステップの後、前記誘電体層の少なくとも一部に隣接してバリア層を形成するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/312 C ,  H01L21/90 J

Fターム (45件)：

5F033HH19 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033XX14 ,  5F033XX28 ,  5F058AA02 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA10 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02