特許

J-GLOBAL ID：200903058967922955

プリント回路基板の製造方法

発明者： 大野 隆生 ,  赤池 信一
出願人/特許権者： タムラ化研株式会社
代理人 (1件)： 佐野 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119656
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307551
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】スルーホールを有する回路基板を製造する際のエッチング工程において簡単、安価かつ信頼性の高いエッチングレジスト膜を形成すること。【構成】回路配線パターンのスルーホール及びその周縁に【化1】〜【化3】の1種を含有する処理液にて処理したエッチングレジスト膜を形成する。但し、R1, R4はC1〜C7のアルキル基、R2,R5,R6はアルキル基、R3,R5 はフェニル基、アルキルフェニル基、R5はフェニルアルキル基を示す。

請求項（抜粋）：

表面に銅層を有する基板にエッチング処理をするエッチング処理工程を有することによりスルーホールを有する回路配線パターンを形成するプリント回路基板の製造方法において、上記エッチング処理は下記一般式〔化1〕、〔化2〕及び〔化3〕で表される化合物からなる群の少なくとも1つの化合物又はその塩を含有する処理液により処理することにより上記回路配線パターンの少なくとも上記スルーホール及びその周縁にエッチングレジスト膜を形成した後エッチングするプリント回路基板の製造方法。【化1】(式中、R1 は同一又は異なりて炭素数1〜7の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、R2 は直鎖又は分岐鎖のアルキル基、R3 はフェニル基又はアルキルフェニル基、nは0〜4、mは0〜3を表す。)【化2】(式中、R4 は同一又は異なりて炭素数1〜7の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、R5 は同一又は異なりて直鎖又は分岐鎖のアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基又はフェニルアルキル基、nは0〜4、mは0〜10、pは0〜4を表す。)【化3】(式中、R6 はアルキル基、nは0〜3、mは0〜4、pは0〜3、qは0〜4を表す。)

IPC (3件)：

H05K 3/06 ,  C07D235/08 ,  H05K 3/42