特許
J-GLOBAL ID：200903058970057076
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177887
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020991
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法において、より簡便なプロセスで、しかも、600°C〜700°C程度以下の低温で、低いコンタクト抵抗を実現するためのコンタクト構造及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、該開孔部内に被着した不純物をドープした多結晶シリコン層を少なくとも有する。【効果】コンタクト径がサブミクロン以下でアスペクト比が高いコンタクトホールに対して、P+拡散層、N+拡散層共、低抵抗でオーミック性の優れたコンタクト構造を、簡便なプロセスで低温形成できる。またコンタクトホール開孔後の、イオンインプラ工程や不純物の活性化のための高温アニール工程が不要となる。更に、不純物の再分布、熱ストレスによるダメージ等を生じない。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、該開孔部内に被着した不純物をドープした多結晶シリコン層を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
