特許

J-GLOBAL ID：200903058990519122

MOS型半導体装置の製造方法

発明者： 藤巻 延嘉
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020403
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236992
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 CZ-Si単結晶ポリッシュドウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するにあたり、ポリシリコン-ゲート電極のMOS型半導体装置と同程度の酸化膜耐圧特性を得る金属-ゲート電極のMOS型半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 酸化膜耐圧特性を測定するための金属-ゲート電極MOS型半導体装置を製造するにあたり、形成したゲート酸化膜を不活性ガス雰囲気中で550〜700°Cで1〜5時間の第1段の熱処理を施し、750〜950°Cで1〜6時間の第2段の熱処理を施し、さらに800〜1100°Cで0.1〜4時間の第3段の熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

酸化膜耐圧特性を測定するための金属-ゲート電極MOS型半導体装置を製造するにあたり、形成したゲート酸化膜を不活性ガス雰囲気中で550〜700°Cで1〜5時間の第1段の熱処理を施し、750〜950°Cで0.1〜6時間の第2段の熱処理を施し、さらに、800〜1100°Cで0.1〜4時間の第3段の熱処理を施すことを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-256448
  
• 特開平2-022838