特許

J-GLOBAL ID：200903058993594346

半導体装置の電極形成方法

発明者： 河北 哲郎 ,  松村 和彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326395
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 無電解めっきによって突起電極を形成する際に、耐温度サイクル性、熱衝撃性が高く、Auの無電解めっき液に対しても浸食性の高いNi突起電極を形成する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体チップのAl電極10上に選択的に突起電極を形成するに際して、半導体チップのAl電極10上の酸化膜11を除去し、その後Al電極10上に置換反応によってZn12を析出させる。次に半導体チップを無電解めっき液に浸漬してAl電極10上に析出させたZn12をさらに置換反応によってすべてNi13に置換させ、この後さらにZn12を析出させる工程とNi13を置換させる工程とを繰り返して所定の厚みのNi電極を得ることにより信頼性高い突起電極を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップのAl電極上の自然酸化膜を除去する第1の工程と、自然酸化膜が除去された前記Al電極上に置換反応により第1の金属を析出させる第2の工程と、前記第1の金属が析出した前記半導体チップを無電解めっき液に浸漬して前記Al電極上に析出させた第1の金属を置換反応によって第2の金属に置換させる第3の工程と、置換により形成された前記第2の金属上に前記第1の金属を析出させる第4の工程と、前記第1の金属と前記第2の金属とを置換させる第5の工程とを有し、前記第4の工程と前記第5の工程とを繰り返すことにより所定の厚みの前記第2の金属層電極を形成することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/92 604 D ,  H01L 21/288 N ,  H01L 21/88 N