特許

J-GLOBAL ID：200903058994435845

半導体薄膜結晶化方法及びレーザ照射装置

発明者： 菅野 幸保 ,  高徳 真人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150819
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340506
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板の全面に結晶性の優れた多結晶シリコンからなる半導体薄膜を形成する。【解決手段】 横方向X及び縦方向Yに広がる基板0の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶半導体薄膜を形成する成膜工程の後、エネルギービームを基板0に対して相対的に走査しながら半導体薄膜に間欠的に照射して非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程を行なう。照射工程では、エネルギービームの照射領域Eを任意の横寸法LX及び縦寸法LYの矩形に整形し、基板0の横方向Xに関し横寸法LXの半分以下の間隔で照射領域Eをずらしながら走査し、又基板0の縦方向Yに関し縦寸法LYの半分以下の間隔で照射領域Eをずらしながら走査して、半導体薄膜の全面を照射する。

請求項（抜粋）：

横方向及び縦方向に広がる基板の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜を形成する成膜工程と、エネルギービームを基板に対して相対的に走査しながら該半導体薄膜に間欠的に照射して非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程とからなる半導体薄膜結晶化方法において、前記照射工程は、該エネルギービームの照射領域を任意の横寸法及び縦寸法の矩形に整形し、該基板の横方向に関し該横寸法の半分以下の間隔で照射領域をずらしながら走査し又該基板の縦方向に関し該縦寸法の半分以下の間隔で照射領域をずらしながら走査して、該半導体薄膜の全面を照射することを特徴とする半導体薄膜結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (52件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052JA02 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP35