特許

J-GLOBAL ID：200903058997930910

高効率太陽電池製造のための電着によるCu▲下x▼In▲下y▼Ga▲下z▼Se▲下n▼(x=0〜2,y=0〜2,z=0〜2,n=0〜3)先駆薄膜の製造

発明者： バタチャーヤ,ラグ エヌ ,  コントレラス,ミゲル エイ ,  キーン,ジェイムズ ,  テナント,アンドリュー エル ,  タトル,ジョン アール ,  ラマナサン,カナン ,  ノーフィ,ロメル
出願人/特許権者： デイヴィス,ジョセフ アンド ネグレイ
代理人 (1件)： 竹沢 荘一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-519213
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501232
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】太陽電池の製造に有用な銅-インジウム-ガリウム-ジセレニドの高品質の薄膜が、成分金属(18)の少なくとも1つをガラス/Mo基体(12,14)上に電着させることにより製造され、銅及びセレニウム或いはインジウム及びセレニウムの物理的蒸着(20)により、薄膜の最終化学量論値をほぼCu(In,Ga)Se2に調整する。電着のために直流電圧と組合せて1〜100KHzの交流電圧を用いると、析出薄膜の形態と成長速度が改良される。少なくとも一部有機溶媒を有する電着溶液を、電着薄膜のガリウム含有量を促進するために、高められた陰極電位と共に、用いることができる。

請求項（抜粋）：

基体上にCuxInyGaxSen(x=0〜2,y=0〜2,z=0〜2,n=0〜3)の層を電着せしめ、その電着は、約1〜10Vの直流電圧とその直流電圧に1〜100KHzの挿入間隔で重ね合わせた約0.2〜5.0Vの交流電圧をかけて行い; 蒸着により、CuxInyGazSen層の上にIn+Se或いはCu+Seのいずれかを十分な量で、析出せしめ、基体上にCu(In、Ga)Se2の薄膜を生成するもので、該薄膜は、約Cu=1〜1.2;(In,Ga)=1〜1.2;Se=2〜

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C25D 3/56 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12

FI (4件)：

H01L 31/04 E ,  C25D 3/56 Z ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12