特許
J-GLOBAL ID：200903058998687288
薄膜圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321594
公開番号（公開出願番号）：特開2000-209063
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 厚み縦振動を主振動とする圧電体膜を用いたエネルギー閉じ込め可能な、従来より良好な特性の薄膜圧電素子を得ることを目的とする。【解決手段】 シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成された窒化シリコン膜16と窒化シリコン膜16の上側に形成された酸化シリコン膜2とからなる誘電体膜21と、誘電体膜21上に形成された下部電極3と、下部電極3上に形成された圧電体膜17と、圧電体膜17上に形成された上部電極5とを備え、上部電極5が存在する部位を含む領域に対向するシリコン基板1の部位の厚さ方向を、シリコン基板1の底面から窒化シリコン膜16との境界面まで除去することによりバイアホール6が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板上に形成された窒化シリコン(SiN)膜と上記窒化シリコン膜の上側に形成された酸化シリコン(SiO2 )膜とからなる誘電体膜と、上記誘電体膜上に形成された下部電極と、上記下部電極上に形成された圧電体膜と、上記圧電体膜上に形成された上部電極とを備え、上記上部電極が存在する部位を含む領域に対向する上記基板の部位の厚さ方向を、上記基板の底面から上記窒化シリコン膜との境界面まで除去することによりバイアホールが形成されている薄膜圧電素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/17 F
, H01L 41/08 C
