特許

J-GLOBAL ID：200903059000590908

酸化チタンエレクトロクロミック薄膜の製造方法

発明者： 吉村 和記 ,  三木 健 ,  種村 栄
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院名古屋工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320997
公開番号（公開出願番号）：特開平10-148850
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 反応性DCマグネトロンスパッタリング法を用いて、着色時と消色時で大きな透過率変化を示し、且つ高い着色効率を有する酸化チタンエレクトロクロミック薄膜乃至は材料を、有利に製造し得る手法を提供すること。【解決手段】 金属チタンをターゲット8として、反応性DCマグネトロンスパッタリング法にて、アモルファス構造の酸化チタンエレクトロクロミック薄膜を、基板10上に成膜するに際して、スパッタリング室2内へのアルゴンガスの流量を120〜230sccmとして、スパッタリングを行なうようにした。

請求項（抜粋）：

金属チタンをターゲットとして、反応性DCマグネトロンスパッタリング法にてアモルファス構造の酸化チタンエレクトロクロミック薄膜を成膜するに際して、スパッタリング系内へのアルゴンガスの流量を120〜230sccmとして、前記スパッタリングを行なうことを特徴とする酸化チタンエレクトロクロミック薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/15 505 ,  C09K 9/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (4件)：

G02F 1/15 505 ,  C09K 9/00 A ,  C23C 14/08 E ,  C23C 14/34 M