特許
J-GLOBAL ID：200903059002835398
静電容量の変化を利用したセンサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320331
公開番号（公開出願番号）：特開平10-132668
出願日： 1990年12月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 過度の外力が作用した場合に、物理的損傷を受けにくくする。【解決手段】 第1の基板100の下面にドーナツ状の溝が掘られ、可撓部が形成される。このドーナツ溝の周囲にある固定部の下面には環状の台座220が接合され、このドーナツ溝の内側にある作用部には重錘体210が接合される。第1の基板100の上方には、第2の基板400が接合され、両基板の対向面に電極E1およびE2が形成され、容量素子が形成される。台座220の下面には第3の基板300が接合される。重錘体210は宙吊り状態になり、加速度が作用すると変位する。この変位により、電極E1,E2の間隔が変化し、静電容量の変化として加速度検出が可能になる。重錘体210の上方向には第1の基板100、横方向には台座220、下方向には第3の基板300が存在するため、過度の変位は制御され、可撓部の損傷を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
ほぼ中心に作用部、その周囲に可撓部、更にその周囲に固定部が定義され、下面の前記可撓部の部分に形成された溝により前記可撓部が可撓性を有するように構成された第1の基板と、前記第1の基板の上面に対して所定間隔をおいて固定された対向面を有する第2の基板と、前記第1の基板の前記上面に形成された第1の電極層と、前記第2の基板の前記対向面に、前記第1の電極層に対向するように形成された第2の電極層と、前記第1の基板の下面の前記作用部に接合された作用体と、前記第1の基板の下面の前記固定部に接合された台座と、を備え、前記作用体に外力が作用すると、前記可撓部の機械的変形により前記作用体が変位し、前記第1の電極層と前記第2の電極層とによって形成される容量素子の静電容量が変化するように構成され、前記外力を前記静電容量の変化として検出する機能を有し、前記台座の内側面と、前記作用体の外側面とが、所定の間隔をおいて対向するように構成され、前記台座の内側面によって前記作用体の横方向への変位を所定範囲内に制限できるようにしたことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサ。
IPC (4件)：
G01L 1/14
, G01L 9/12
, G01P 15/125
, G01R 33/02
G01L 1/14 A
, G01L 9/12
, G01P 15/125
, G01R 33/02 A
