特許

J-GLOBAL ID：200903059003162575

磁気リニアスケール

発明者： 小澤 幸生 ,  坂井 厚之
出願人/特許権者： シーケーディ株式会社
代理人 (1件)： 富澤 孝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184453
公開番号（公開出願番号）：特開平7-012505
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 幅が狭く、また周囲温度が変化しても十分な温度補償を行って、永久磁石の位置を正確に測定可能な磁気リニアスケールを容易かつ低コストで提供すること。【構成】 磁気リニアスケール11は、基板上に強磁性体金属の蒸着薄膜により形成され、磁気抵抗効果を奏する磁気抵抗素子R1と、基板に対して一定間隔を保ちながら平行移動する永久磁石57を有する磁気リニアスケールであって、磁気抵抗素子R1が、永久磁石57が移動する方向Bと直交する方向において一定幅WBで形成され、永久磁石57が移動する方向Bにおいて密度がリニアに変化する。

請求項（抜粋）：

基板上に強磁性体金属の蒸着薄膜により形成され、磁気抵抗効果を奏する磁気抵抗素子と、基板に対して一定間隔を保ちながら平行移動する永久磁石を有する磁気リニアスケールにおいて、前記磁気抵抗素子が、前記永久磁石が移動する方向と直交する方向において一定幅で形成され、前記永久磁石が移動する方向において密度がリニアに変化することを特徴とする磁気リニアスケール。

IPC (2件)：

G01B 7/00 ,  G01D 5/245

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-212803
  
• 特開昭63-212803
  
• 特開平4-286379
  
• 特開平2-078910