圧電素子ユニット及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-034326
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月09日
要約：

【要約】【課題】PZTの水熱合成法の成膜条件に十分に耐え、ピンホールがなくエッジカバレッジに優れ、かつコストへの影響が少ない保護層を提供する。【解決手段】チタンを含まない基板13としてのシリコン基板の全表面を無電解メッキによる5μm 前後のニッケル保護層15a で覆い、PZT層92を選択的に形成する部分にチタン層91をマスク蒸着法で形成し、その部分に水熱合成法でPZT層92を形成し、PZT層92の上面に金の電極93をマスク蒸着法で形成する。ニッケル保護層15a は他の貴金属の保護層に比べて安価であり、メッキによって厚い層を容易に形成することができ、ピンホールがないエッジカバレッジに優れた保護膜となる。また、ニッケル保護層15a とPZT層92とで超薄型のバイモルフを構成することもできる。

請求項（抜粋）：

水熱合成法によって基板の一部に選択的に形成された複数の圧電体層を備えている圧電素子ユニットにおいて、水熱合成法の溶液に対して耐食性を有する材料からなり、かつ基板の表面を覆っている保護層と、保護層上の一部に形成されているチタンあるいはチタンを含む材料からなる層と、チタンあるいはチタンを含む材料からなる層の表面上に形成された圧電体層とを備えていることを特徴とする圧電素子ユニット。

IPC (6件)：

B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16 , H01L 41/09 , H01L 41/22 , H02N 2/00

FI (5件)：

B41J 3/04 103 A , H02N 2/00 B , B41J 3/04 103 H , H01L 41/08 C , H01L 41/22 Z

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