特許
J-GLOBAL ID：200903059007093969
インジウムバンプ接続方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137355
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335375
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 PDAとCCDとを加熱圧着したのち、Inバンプが冷却サイクル等により剥離を生じない信頼性が高く、強固な接続を可能にする。【構成】 半導体基板上に形成された多数のP・N接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、前記フォトダイオードアレイの電極上に予め金属めっきを施すことを特徴とするインジウムバンプ接続方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された多数のP・N接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、前記フォトダイオードアレイの電極上に予め金属めっきを施すことを特徴とするインジウムバンプ接続方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 27/146
