特許
J-GLOBAL ID：200903059008450579
半導体装置の検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094038
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291373
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 製造上発生する拡散,組立に起因する不良原因を追求する上で必要なデ-タを効率よく得る。【構成】 コンタクト検査工程1、ショート検査工程2の順に端子の接続状態、その短絡の有無をチェックしてから、パラメータ検査工程19で半導体装置のデバイスパラメータをチェックし、さらに静特性検査工程20、動特性検査工程21の順に内部回路のバイアス状態、伝達特性をチェックする。そして、パラメータ検査工程19においては、リーク電流検査工程15と抵抗検査工程16を順次実施してから、電流増幅率検査工程17および耐圧検査工程18のいずれか一方を先に、他方をその後に実施する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の端子の接続状態をチェックするコンタクト検査工程と、前記端子の短絡の有無をチェックするショート検査工程と、前記ショート検査工程後に前記半導体装置のデバイスパラメータをチェックするパラメータ検査工程と、前記パラメータ検査工程の後に内部回路のバイアス状態をチェックする静特性検査工程と、前記静特性検査工程後に前記内部回路の伝達特性をチェックする動特性検査工程とを備え、前記パラメータ検査工程がリーク電流検査工程、抵抗検査工程、電流増幅率検査工程および耐圧検査工程からなり、リーク電流検査工程および抵抗検査工程の順序で検査した後、電流増幅率検査工程および耐圧検査工程のいずれか一方を、先に他方をその後に実施することを特徴とする半導体装置の検査方法。
IPC (2件)：
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