特許

J-GLOBAL ID：200903059012314639

パターン形成方法

発明者： 松尾 隆弘 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-303210
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 シリル化によるパターン形成において、残さの無い、良好な形状のパターンを形成する。【構成】 Si基板11上に塗布したレジスト12をKrFエキシマレーザ13により露光した。気相HMDS15をレジスト12に接触させて、露光部にシリル化層16を選択的に形成し、同時に未露光部にシリコン付着物17が生じた。O2等方性RIE18により、シリコン付着物17をリフトオフさせて除去した。その後、O2異方性RIE19によりエッチングを行って、露光部に垂直な形状のネガパターンを形成した。このようにして、O2プラズマを用いたエッチングを、最初に等方性、次に異方性と2段階にすることにより、残さの無い、良好なパターンが形成できた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光する工程と、前記レジスト表面にシリコン化合物を気相あるいは液相で接触させて、前記レジストに選択的にシリル化層を形成する工程と、最初に酸素プラズマを用いた等方性のエッチング、後に酸素プラズマを用いた異方性のエッチングの2段階に分けて前記レジストをエッチングする工程とを備えて成ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302