特許
J-GLOBAL ID：200903059016284530
NAND型不揮発性メモリの駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215078
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057486
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 周辺回路のレイアウト面積の縮小化に寄与し得るとともに、読み出しの際の低電源電圧動作を容易にしたNAND型不揮発性メモリの駆動方法を提供する。【構成】 NAND型EEPROMにおいて、プログラム(A)の際に、選択セルのコントロールゲート11に正の中間電圧(例えば、8V)を、Pウェル14およびドレイン16に負の中間電圧(例えば、-10V)をそれぞれ印加し、消去(B)の際に、選択ブロックの各セルのコントロールゲート11に負の中間電圧(例えば、-10V)を、Pウェル14に正の中間電圧(例えば、10V)をそれぞれ印加する。また、読み出し(C)の際には、ドレイン16の外部電源電圧Vcc(例えば、1.5V)を印加するとともに、選択セルのコントロールゲート11に負の低電圧(例えば、-1V)を印加する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲート型メモリセルからなるNAND型不揮発性メモリの駆動方法であって、プログラムの際に、選択メモリセルのコントロールゲートに第1極性の中間電圧を、ドレインおよび基板側に第2極性の中間電圧をそれぞれ印加し、消去の際に、選択ブロックの各メモリセルのコントロールゲートに第2極性の中間電圧を、基板側に第1極性の中間電圧をそれぞれ印加することを特徴とするNAND型不揮発性メモリの駆動方法。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 530 C
, H01L 29/78 371
