特許
J-GLOBAL ID:200903059016951820

真空を維持する単結晶シリコンゲッターを有する気密封止マイクロデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 桑垣 衛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-541623
公開番号(公開出願番号):特表2006-501679
出願日: 2003年09月24日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
マイクロデバイスは、デバイスマイクロ構造体(22)と、基板(24)と、そしてシリコンキャップ(30,130)とを備える。デバイスマイクロ構造体(22)は基板(24)に取り付けられる。シリコンキャップ(30,130)は、ベース部分(32,132)及びキャップ(30,130)内に中空部(36,136)を画定する側壁(34,134)を有する。シリコンキャップ(30,130)は、キャップ(30,130)内の中空部(36,136)がデバイスマイクロ構造体(22)を収容し、かつ、デバイスマイクロ構造体(22)に隣接して気密封止キャビティ(38)を形成するように基板(24)に取り付けられる。シリコンキャップ(30,130)はさらに、その中空部(36,136)に沿って埋め込まれ、キャビティ(38)内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層(40,140)を有する。単結晶シリコンゲッター層(40,140)を含むマイクロデバイスの形成方法も提供する。
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板に取り付けられるデバイスマイクロ構造体と、 シリコンキャップと、該キャップは同キャップ内に中空部を画定するベース部分および側壁を有することと、前記キャップは、前記キャップの中空部が前記デバイスマイクロ構造体を収容し、および前記デバイスマイクロ構造体に隣接して気密封止キャビティを形成するように前記基板に取り付けられることとからなり、 前記シリコンキャップは、その中空部に沿って埋め込まれ、前記キャビティ内の真空を維持する単結晶シリコンゲッター層を有する、気密封止マイクロデバイス。
IPC (3件):
H01L 23/02 ,  B81B 7/02 ,  B81C 1/00
FI (3件):
H01L23/02 J ,  B81B7/02 ,  B81C1/00
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第4,771,214号
  • 米国特許第5,614,785号
審査官引用 (3件)

前のページに戻る