特許
J-GLOBAL ID：200903059036559055
透明導電膜の成膜装置および成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330283
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【目的】非晶質のITO膜を形成するために、十分な量の水素をITO膜に均一に取り込ませて成膜する方法およびそのための装置を提供する【構成】スパッタ成膜室10内の防着板15と基板16との間に水素プラズマ室50を設置しておく。水素プラズマ室50にボンベ22から水素ガスあるいは水素原子を含む分子を導入しつつフィラメント18により放電を発生させてプラズマを生成し、励起状態の水素を作り出す。励起状態の水素をスパッタ成膜室10内の基板16近傍に導入し、スパッタ粒子と混入して基板16上に堆積させる。【効果】エッチング速度が大きいITO膜を得ることができ、液晶表示素子の生産性を高めることができる。
請求項（抜粋）：
基板の配置された成膜空間で、少なくとも酸素とインジウムと錫とを含むターゲットをスパッタしてスパッタ粒子を飛散させ、前記成膜空間とは異なる空間で、水素原子を含む分子を励起して励起状態の水素原子を生成し、生成した励起状態の水素原子を前記成膜空間に導き、前記スパッタ粒子と励起状態の水素原子とを混合して前記基板上に堆積させることを特徴とする透明導電膜の成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01B 13/00 503
