特許

J-GLOBAL ID：200903059043542486

配線パターンの形成方法

発明者： 大村 卓
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347284
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193355
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 フォトレジストのポストベークおよび薄膜のエッチングの個々の処理工程を経ることなく、かつフォトレジストの剥離性の悪化を招くことなく、能率よく配線パターンを形成することができる配線パターンの形成方法を提供する。【構成】 基板11の上にAlあるいはAl系合金の薄膜12を成膜し、この薄膜12の上にポジ型フォトレジスト13を塗布し、このフォトレジスト13を露光し、次いでアルカリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ型フォトレジスト13を現像し、この現像時に前記アルカリ性のレジスト現像液により前記フォトレジスト13の露光部13′を除去するとともに、その除去部分の下側の薄膜12を前記アルカリ性のレジスト現像液によりエッチングする。

請求項（抜粋）：

基板の上にAlあるいはAl系合金の薄膜を成膜し、この薄膜の上にポジ型フォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光し、次いでアルカリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ型フォトレジストを現像し、この現像時に前記アルカリ性のレジスト現像液により前記フォトレジストの露光部分を除去するとともに、その除去部分の下側の薄膜を前記アルカリ性のレジスト現像液によりエッチングすることを特徴とする配線パターンの形成方法。

IPC (5件)：

H05K 3/06 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  G02F 1/1343

FI (2件)：

H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/306 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-302724
  
• 特開平4-006284
  
• 特開平2-094807
  
• 特開昭63-094632