特許
J-GLOBAL ID：200903059043622528
プラズマプロセシング装置及びその運転方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005612
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216042
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】低密度プラズマを安定かつ均一に試料に照射し、また容易に照射プラズマ密度を制御する。【構成】プラズマをミラー磁場の間で生成し、試料9をミラー磁場の外部に設置する。プラズマ生成領域8と試料9とは磁力線7でつながれ、試料9の表面が磁力線7に対向するように配置する。
請求項（抜粋）：
磁場を発生する装置,マイクロ波を発生する装置,内部にプラズマを生成する真空容器,マイクロ波を前記真空容器に導入する装置,前記真空容器にガスを導入する装置,前記真空容器内部に試料を固定する装置とから成るプラズマプロセシング装置において、プラズマ生成部と前記試料との間に、前記プラズマ生成部よりも強い磁場領域を設け前記磁場領域の磁場強度を変化させることによりプラズマの前記試料方向への流出を制御することを特徴とするプラズマプロセシング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
