特許
J-GLOBAL ID：200903059044603675
窒化物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331019
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150299
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 電流電圧特性が良好でかつ製造が容易な窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 p型導電性を有する窒化ガリウム系半導体層と、上記窒化ガリウム系半導体層上に形成され、該窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する正電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記正電極を、上記窒化ガリウム系半導体層に接して形成されたMoを主成分とする第1の電極層と、該第1の電極層上に形成されたPtを主成分とする第2の電極層とによって構成する。
請求項（抜粋）：
p型導電性を有するp型窒化ガリウム系半導体層と、上記p型窒化ガリウム系半導体層上に形成され、該窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する正電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記正電極が、上記p型窒化ガリウム系半導体層に接して形成されたMoを主成分とする第1の電極層と、該第1の電極層上に形成されたPtを主成分とする第2の電極層とを有してなることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 29/43
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/46 H
