特許
J-GLOBAL ID：200903059052622972
膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202068
公開番号（公開出願番号）：特開平9-175871
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 基板内の均一な加熱により膜形成素材を含む基板の歩留まりを高くできる焼成方法を提供する。【解決手段】 膜形成素材を含む基板62は、熱処理の冷却過程において、第1の均熱工程において第1の設定温度KT1 で均熱された後、搬送工程においてその第1の設定温度KT1 よりも所定値△KTだけ低い第2の設定温度KT2 に維持された第2の加熱室30へ搬送され、第2均熱工程において第2の設定温度KT2 で均熱される。このように、所定値△KTだけ低い設定温度に維持された加熱室内で均熱を繰り返しながら熱処理の冷却過程が行われることから、膜形成素材を含む基板62内の温度のばらつきが可及的に小さくされるので、基板62がガラス製である場合にあっては、基板62の寸法の局部的変化やそれに起因する厚膜印刷などの位置ずれが防止されて製造歩留まりが飛躍的に高められる。
請求項（抜粋）：
膜形成素材を含む基板に均一に熱処理を施すための焼成方法であって、予め第1の設定温度に維持された第1の加熱室内に前記基板を所定時間収容することにより該基板を該第1の設定温度で均熱させる第1均熱工程と、前記第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2の設定温度に維持された第2の加熱室内へ前記第1の加熱室内で熱処理された前記基板を搬送する搬送工程と、該基板を該第2の加熱室内に所定時間収容することにより該基板を該第2の設定温度で均熱させる第2均熱工程と、を含むことを特徴とする膜形成素材を含む基板の焼成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
C04B 35/64 C
, B32B 18/00 A
, B32B 18/00 B
, C04B 35/64 G
