特許
J-GLOBAL ID：200903059064514237
エレクトロルミネッセンス薄膜の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216842
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083684
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】IIa -VIb 族またはIIb-VIb 族化合物半導体を母材とするエレクトロルミネッセンス薄膜を、硫黄ガス雰囲気中で熱処理して、低発光開始電圧、高輝度とする。【構成】熱処理は連続した2つのステップを含み,第1のステップは該薄膜の一定温度保持であり,その雰囲気ガスは不活性ガス, 水素ガスまたはVIb 族水素化合物ガスの内の少なくとも1つからなるキャリアガスと、分解されたVIb 族元素ガスとを含んでおり、第2のステップは該薄膜の一定温度保持と降温であり,その雰囲気ガスは水素ガスまたは VIb族水素化合物ガスの内の少なくとも1つからなる。キャリアガスをVIb 族元素融液中にバブリングさせた後VIb 族元素ガスを含んだキャリアガスを上記ガス導入口に導くバブラとキャリアに含まれたVIb 族元素ガスを加熱により分解する装置とを少なくとも備えるエレクトロルミネッセンス薄膜製造装置。
請求項（抜粋）：
IIa -VIb 族またはIIb-VIb 族化合物半導体を含む薄膜を、ガス雰囲気中で熱処理するエレクトロルミネッセンス薄膜の製造方法において、熱処理が連続した2つのステップを含み,第1のステップはガス雰囲気中で上記薄膜を一定温度に保持する工程であり,第1のステップの雰囲気ガスは不活性ガス, 水素ガスまたはVIb 族水素化合物ガスの内の少なくとも1つからなるキャリアガス中に所定の温度で分解されたVIb 族元素ガスを含んだものであり、第2のステップはガス雰囲気中で上記薄膜を一定温度に保持した後降温する工程であり,第2のステップの雰囲気ガスは水素ガスまたは VIb族水素化合物ガスの内の少なくとも1つからなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, C09K 11/08
, C09K 11/56 CPC
