特許
J-GLOBAL ID：200903059065601184
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347237
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193070
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】この発明は、装置の信頼性の低下を防止するとともに、マウント部材に素子をマウントした後の素子の剥離強度を大きくする。【構成】N+ -InP基板21上にN-InPバッファ-層22を堆積し、バッファ-層22上にInGaAs光吸収層23を堆積し、光吸収層23上にN- -InPキャップ層24を堆積し、光吸収層23、キャップ層24内にP型不純物領域25を形成する。次に、キャップ層24上にマスク膜を形成し、マスク膜をマスクとしてキャップ層24、光吸収層23、バッファ-層22をエッチング除去し、P電極形成領域27、N電極形成領域28を形成する。次に、キャップ層24のP型不純物領域25の周辺部上に絶縁膜29を設け、P電極形成領域27、N電極形成領域28それぞれの上に積層構造からなる電極パッド33,34 を形成し、絶縁膜29の上、P電極の電極パッド33の表面の周囲と側面に非金属物質35を形成する。従って、装置の信頼性の低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に電極が設けられた半導体チップと、前記電極の上に設けられた電極パッドと、前記電極パッドの表面の周囲および側面に設けられた非金属物質と、前記半導体チップを、前記電極パッドの上面を接合面としてハンダを介してマウントするマウント部材と、を具備することを特徴とする化合物半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 C
