特許

J-GLOBAL ID：200903059066442586

半導体装置及びその製造方法

発明者： 進藤 昭則
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126032
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308138
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 製造コストの増加を抑えてボンディングの品質や信頼性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線と、その配線の一端に形成されたAl合金膜からなる電極パッド1と、を備えた半導体装置の製造方法である。この製造方法は、絶縁膜3上に配線及び電極パッド1を形成する工程と、この電極パッド1にArイオン9を導入することにより電極パッド1の濡れ性を改良する工程と、を具備し、上記電極パッド1はAuワイヤをボンディングするためのものである。

請求項（抜粋）：

配線と、その配線の一端に形成された電極パッドと、を備えた半導体装置の製造方法であって、絶縁膜上に配線及び電極パッドを形成する工程と、この電極パッドに所定のイオンを導入することにより該電極パッドの性質を改良する工程と、を具備し、上記電極パッドはワイヤをボンディングするためのものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T

Fターム (19件)：

5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F044EE04 ,  5F044EE13 ,  5F044EE21 ,  5F044FF04