気相成長方法及び気相成長装置用基板保持装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木戸一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316819
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162128
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】基板の温度均一性や薄膜の均一性を大幅に向上させることができる気相成長方法及び気相成長装置用基板保持装置を提供する。【解決手段】基板の気相成長面を下向きにして保持するとともに、該基板を公転させながら自転させる。

請求項（抜粋）：

基板を設置した反応管内に原料ガスを導入して前記基板の気相成長面に半導体薄膜を形成する気相成長方法において、前記反応管内で、基板の気相成長面を下向きにして保持するとともに、該基板を公転させながら自転させることを特徴とする気相成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , B25J 15/00 , C23C 16/44 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 , B25J 15/00 Z , C23C 16/44 H , H01L 21/68 N

引用特許：

出願人引用 (5件)

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審査官引用 (2件)

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