特許
J-GLOBAL ID：200903059074905560
閾動作式半導体型静電力装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151385
公開番号（公開出願番号）：特開平5-328751
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 不純物半導体を機能材料として用いた静電型アクチュエータに閾処理機能を付与する。【構成】 閾動作式半導体型静電力装置は、作用手段1と対向手段2と制御手段3とから構成されている。作用手段1は所定の閾値を越える静電界に応答して電界方向に移動する電荷を保持する半導体領域を備えている。対向手段2は該半導体領域に対して静電界を印加する。又、制御手段3は該静電界を制御する事により所定の閾値を越えた時該半導体領域内で電荷を局在化させ静電力を取り出す。作用手段1と対向手段2は互いに相対的に変位する可動子と固定子を構成し、取り出された静電力は力学的変位に変換される。
請求項（抜粋）：
所定の閾値を越える静電界に応答して電界方向に移動する電荷を保持する半導体領域を備えた作用手段と、該半導体領域に対して静電界を印加する為の対向手段と、該静電界を制御する事により所定の閾値を越えた時該半導体領域内で電荷を局在化させ静電力を取り出す為の制御手段とからなる閾動作式半導体型静電力装置。
IPC (2件)：
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