特許

J-GLOBAL ID：200903059075586264

半導体装置の積層配線

発明者： 阿部 宏幸
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101893
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291119
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 EM耐性およびSM耐性に優れた積層配線構造を提供する。【構成】 Al合金配線1の上下面および両側面に、TiN膜(2,3)を設ける。この配線構造の形成に際しては、?@スパッタリングによるTiN(2)/Al合金(1)/TiN(2)の3層膜の形成、?Aマスクを用いた異方性エッチング、?BスパッタリングによるTiN膜(3)の形成、?Cマスクを用いない異方性エッチングによるTiN膜(3)の除去の順に工程を進める。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成したAl系合金配線において、Al系合金配線の上下面および両側面に、該Al系合金配線よりも機械的強度の高い金属層を形成したことを特徴とする半導体装置の積層配線。

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R