特許
J-GLOBAL ID：200903059075706774
半導体集積回路装置及びこれを用いた電子計算機
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282185
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102177
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、シリコン・ゲルマニウム・ヘテロ接合バイポーラトランジスタの熱的な安定性を向上させることである。【構成】 シリコン・ゲルマニウム・ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベ-ス層Bにゲルマニウムと同程度の濃度で炭素またはボロンを含有させて、ベ-ス部分Bの結晶格子定数を他のエミッタ部分Eとほぼ同じにしてベ-ス部分の応力を除去するものである。シリコン・ゲルマニウム・ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた半導体集積回路装置を液体窒素温度に冷却して動作させる形式の超高速電子計算機に適用し、その動作の高速性と高信頼性を高める。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンを主体とするバイポ-ラトランジスタを含む半導体集積回路装置において、該バイポ-ラトランジスタのベ-ス部分にゲルマニウムと炭素を含有し、該ベ-ス部分のエネルギ-バンドギャップがエミッタ部分より小さく、且つ該バイポ-ラトランジスタのベ-ス部分の結晶格子定数がそのエミッタ部分と略等しいことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
