特許

J-GLOBAL ID：200903059077406530

半導体記憶装置

発明者： 森脇 信行 ,  樋口 光宏 ,  利田 充弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175309
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064273
出願日： 1988年10月07日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 通常動作モードでの低消費電力化を図りつつ、加速試験等の試験時間の短縮化を実現した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 複数のワード線と複数のデータ線の交点に配置されて電気的に情報を蓄積するメモリセルを有し、アドレス信号の変化を検出して、読み出し動作終了後ワード線またはセンスアンプを非動作状態にして低消費電力化を図ったオートパワーダウン機能を有する半導体記憶装置において、装置を動作させる電源電圧が所定値以上になった場合に上記オートパワーダウン機能を無効化する。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と複数のデータ線の交点に配置されて電気的に情報を蓄積する半導体素子から成る複数のメモリセルと、アドレス信号変化のタイミングに基づいて少なくとも一つのワード線を一定期間選択する選択回路と、上記半導体素子に加えられる電源電圧が所定値以上の場合アドレス信号変化タイミングとは無関係に少なくとも一つのワード線を選択する制御回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-009585
  
• 特開昭58-207662