特許
J-GLOBAL ID：200903059077570586
超格子アバランシェフォトダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312442
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 メサ型超格子アバランシェフォトダイオードで問題となる表面リーク暗電流を低減し、低暗電流・高信頼な超格子アバランシェフォトダイオードを実現する。【構成】 p+ 型InP基板もしくは高抵抗InP11上にp+ 型InPバッファ層12、p- 型InGaAs光吸収層13とp+ 型InP電界降下層14と、n- 型InAlGaAs/InAlAs超格子増倍層15と、n+ 型InAlAsキャップ層16とn+ 型InGaAsコンタクト層17を有する。p+ 型導伝領域110を形成し、p+ とn+ の接する領域を、リング同心円形状に、超格子増倍層に達するまで半導体層を除去する。パッシベーション膜112と電極18、19を形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板もしくは高濃度の第1導伝型半導体基板上に、高濃度の第1導伝型半導体バッファ層を介して、低濃度第1導伝型半導体光吸収層と、第1導伝型半導体電界緩和層と、超格子増倍層と、高濃度の第2導伝型半導体キャップ層と、高濃度の第2導伝型半導体コンタクト層とを順次積層した超格子アバランシェフォトダイオードにおいて、受光に供する領域の周囲の領域に、表面より少なくとも前記第1導伝型半導体電界緩和層より深い位置まで選択的に形成した第1導伝型化領域を有し、かつ、前記第1導伝型化領域と高濃度第2導伝型半導体コンタクト層及び高濃度第2導伝型半導体キャップ層が接しないように第2導伝型半導体キャップ層までエッチング除去された構造を有することを特徴とする超格子アバランシェフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 B
, H01L 29/20
