特許

J-GLOBAL ID：200903059082998942

静電チャックの製造方法およびそれを用いて得られた静電チャック

発明者： 小倉 知之 ,  塩貝 達也 ,  梅木 亜希子
出願人/特許権者： 太平洋セメント株式会社
代理人 (2件)： 宇高 克己 ,  逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259916
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103648
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】上部絶縁層の厚みが小さなものであっても優れた耐電圧特性を発揮する静電チャックの製造技術を提供することである。【解決手段】基台1と、その上面に形成された下部絶縁層2と、その上に形成された電極層3と、これを被覆するよう下部絶縁層2の上に形成された上部絶縁層4と、を具備してなる静電チャックを製造するための方法であって、基台1の上面に下部絶縁層2となる材料を溶射する第1工程と、この第1工程で得た下部絶縁層2の上の、マスキングテープ5で取り囲んだ領域に、電極層3となる材料を溶射する第2工程と、マスキングテープ5を除去し、第2工程で得た電極層3の縁部をテーパー状に研磨加工する第3工程と、この第3工程が完了した後、電極層3を被覆するよう、下部絶縁層2の上に上部絶縁層4となる材料を溶射する第4工程と、を具備する静電チャックの製造方法。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基台と、この基台の上面に形成された下部絶縁層と、この下部絶縁層の上に形成された電極層と、この電極層を被覆するよう前記下部絶縁層の上に形成された上部絶縁層と、を具備してなる静電チャックを製造するための方法であって、 前記基台の上面に前記下部絶縁層となる材料を溶射する第1工程と、 この第1工程で得た前記下部絶縁層上の、マスキングテープで取り囲んだ領域に、前記電極層となる材料を溶射する第2工程と、 前記マスキングテープを除去し、前記第2工程で得た前記電極層の縁部をテーパー状に研磨加工する第3工程と、 この第3工程が完了した後、前記電極層を被覆するよう、前記下部絶縁層の上に前記上部絶縁層となる材料を溶射する第4工程と を具備することを特徴とする静電チャックの製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/68 ,  C04B41/90 ,  H02N13/00

FI (3件)：

H01L21/68 R ,  C04B41/90 C ,  H02N13/00 D

Fターム (7件)：

5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA17 ,  5F031HA18 ,  5F031MA32 ,  5F031NA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 双極型静電チャック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-341395   出願人：太平洋セメント株式会社
• 電気二重層コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-218036   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-372152