特許
J-GLOBAL ID：200903059084994855
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211294
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】多結晶シリコンを抵抗体とした負荷抵抗素子において、温度特性が改善され、かつ熱処理によるアルミニウムと多結晶シリコンの反応による多結晶シリコンの吸い出しを避けることができる負荷抵抗素子を有する半導体装置を提供することにある。【構成】フィールド酸化膜2上に形成した多結晶シリコン3の端部を拡散層7に直接接続し、温度変化に対しシリコン3と拡散層7の特性が逆方向であることを利用して抵抗素子の温度特性を改善する。また、配線用アルミニウム6を拡散層7に接続することにより、アルミニウムと多結晶シリコンの反応による多結晶シリコンの吸い出しを避けることができる。【効果】温度特性が改善され、かつアルミニウムと多結晶シリコンの接続部で多結晶シリコンの吸い出しを避けることができる多結晶シリコンを抵抗体とした負荷抵抗素子を有する半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
同一シリコン基板上に形成した多結晶シリコンによる抵抗体と単結晶シリコンによる結晶体を電気的に直接接続して使用することを特徴とした半導体装置。
引用特許：
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