特許
J-GLOBAL ID：200903059092246558
バイシモスDRAMセルの構造および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 正雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246704
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129559
出願日： 1991年09月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 高集積が可能なDRAMと、そのDRAMを簡素な工程で製造する方法を得る【構成】 DRAMのセル構造をバイポーラ、CMOS共存の3T(3トランジスタ)からなる立体構造のバイシモスDRAMとする。N-チャンネルMOSFETをMOSキャパシタとし、n-チャンネルJFETはMOSキャパシタに記憶された情報読出素子、PNPバイポーラトランジスタは情報書込素子となる。
請求項（抜粋）：
P型基板、N-拡散領域、およびP+拡散領域からなるデータ書き込み用のPNPバイポーラトランジスタと、N+拡散領域とN-拡散領域およびワードライン、P型基板、P+拡散領域からなるデータ記憶用のゲート、記憶されたデータを読み出すn-チャンネルJFET、N+拡散領域、ワードライン、N+ポリ、P+拡散領域およびゲート酸化膜からなりキャパシタとして作用するMOSFETを含むことを特徴とする電流感知方式バイシモスDRAMセル。
引用特許：
前のページに戻る
