半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：村上智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197847
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017623
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】高密度実装に対応し得る程度に薄型、且つ製造コストが安価であり、封止用の樹脂を再利用することができる半導体装置及びその製法を提供する。【解決手段】半導体チップ3を樹脂フィルム2でパッケージングして成る半導体装置1であり、半導体チップ3の電極部5にリード4aの一方端が接続され、半導体チップ3の少なくとも回路形成面たる表面及びリード4aに、熱可塑性の樹脂フィルム2が熱融着によって直接接合される。そして、リード4aの他方端が外部に露出するように形成される。回路形成面たる表面の保護及び封止を適正に行い得るようにしつつ、厚さの薄い樹脂フィルム2を用いることによって、半導体装置1の厚みを高密度実装に応え得る程度に極薄いものとすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップを樹脂でパッケージングして成る半導体装置であって、前記半導体チップと、該半導体チップの電極部に一方端が接続されたリードと、前記半導体チップの少なくとも回路形成面たる表面及び前記リードに、熱融着によって直接接合された熱可塑性の樹脂フィルムとを備えるとともに、前記リードの他方端が外部に露出するように形成されて成る半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 21/56 , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/50 , H01L 23/52 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (8件)：

H01L 23/12 501 T , H01L 23/12 501 B , H01L 21/56 R , H01L 23/28 A , H01L 23/50 K , H01L 25/08 Z , H01L 23/52 C , H01L 23/30 B

Fターム (19件)：

4M109AA01 , 4M109AA02 , 4M109BA07 , 4M109CA22 , 4M109EA12 , 4M109EB07 , 4M109EB08 , 4M109EB11 , 4M109EB18 , 5F061AA01 , 5F061AA02 , 5F061BA07 , 5F061CA22 , 5F061CB13 , 5F067AA01 , 5F067AA02 , 5F067BA00 , 5F067BE10 , 5F067CB02

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