特許
J-GLOBAL ID：200903059095924301
貼合わせ半導体基体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283381
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 ボイドの発生を抑え、デバイス不良の発生を低減する。【構成】 半導体基板1と基板3とを絶縁層4を介して貼り合わせる貼合わせ半導体基体の製造方法において、前記半導体基板1の接着する側の表面に、湿式1000°Cの熱酸化膜におけるフッ酸とアンモニア水との混合液のエッチングレートよりも2倍以上速くかつ不純物が添加されていない酸化膜2を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と基板とを絶縁層を介して貼り合わせる貼合わせ半導体基体の製造方法において、前記半導体基板の接着する側の表面に、湿式1000°Cの熱酸化膜におけるフッ酸とアンモニア水との混合液のエッチングレートよりも2倍以上速くかつ不純物が添加されていない酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする貼合わせ半導体基体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/18
, H01L 21/316
