特許
J-GLOBAL ID：200903059096689527
半導体ウエハの検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112471
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297154
出願日： 1996年05月07日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 プローブカードのプローブ端子と半導体ウエハの電極をウエハ状態で一括して確実に接触させる半導体ウエハの検査方法を提供する。【解決手段】 配線基板24の金属配線21上に形成されたバンプ30へ平板40を当て、加圧してバンプ30を塑性変形させることにより、バンプ高さのばらつきを吸収し、バンプ高さを均一に揃える。その後、半導体ウエハ10の電極11へ位置合わせし加圧することで、配線基板24の複数のバンプ30と半導体ウエハ10の複数の電極11を確実に接触させ、バーンイン等の検査を低コストにウエハ状態で一括して行うとができる。
請求項（抜粋）：
配線基板の金属配線層の上に絶縁性感光樹脂層を形成する工程と、前記絶縁性感光樹脂の半導体ウエハの電極に対応した位置に開口部を形成する工程と、前記開口部に金属突起を形成する工程と、前記配線基板に形成された複数個の前記金属突起の表面の高さを揃える工程と、前記半導体ウエハの電極に前記配線基板に形成された前記金属突起を位置合わせする工程と、前記配線基板と前記半導体ウエハとを相対的に加圧して前記半導体ウエハの電極と前記金属突起とを接触させ電気的接続を行なう工程とを有する半導体ウエハの検査方法。
IPC (4件)：
G01R 1/073
, G01R 1/06
, G01R 31/26
, H01L 21/66
G01R 1/073 F
, G01R 1/06 F
, G01R 31/26 J
, H01L 21/66 B
