半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022568
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】窒化物材料からなる電子デバイスや光デバイスを構成する核結晶層の欠陥密度を低減する手法を提供し、さらに、半導体レーザ素子で必要となる基本横モード制御のストライプ構造を実現し、光ディスクシステム等に代表される応用分野の光源として適用される半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素(α-SiC)基板1上に、絶縁膜を一面に設け表面を窒化処理した後に、GaNバッファ層4とn型GaN光導波層5を結晶成長する。次に、絶縁膜マスク16を形成した後、層5から層12まで選択成長する。電流狭窄する絶縁膜13を設けた後、p側電極及びn側電極を蒸着し、劈開して共振器面を切り出してスクライブにより素子を分離する。【効果】半導体レーザ素子の光導波層や発光活性層における結晶欠陥密度を従来よりも低減し、散乱損失による内部光損失を格段に減少させた。

請求項（抜粋）：

窒化処理がなされた絶縁物層を有する所定基板とこの絶縁物層を覆うように設けられた窒素を含有する半導体層とを有し、窒素を含有するこの半導体層に少なくとも電子素子部あるいは光素子部のいずれか一者が設けられていることを特徴とする半導体装置。

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