特許
J-GLOBAL ID：200903059097809348
ECRプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062909
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ流束の拡散を抑制し、プラズマの励起度の低下を抑制し、多角形の被処理体の形状に合わせたプラズマ流束を形成し、基板処理効率を向上することにある。【構成】 ECRプラズマ処理装置において、プラズマ生成位置から被処理体に至る少なくとも一部区間のプラズマ流束を包囲する筒体20を設け、プラズマ流束の拡散を防止して、基板1面のプラズマ密度を高くする。筒体20は、プラズマ流の全長にわたる空間を包囲することが望ましい。筒体20の少なくとも内面を電磁波を反射する材料で形成し、また筒壁に排気用の細穴22を穿設して、プラズマ励起度の低下を抑制する。多角形基板1の場合は、筒体20の先端をその基板形状に合わせ、導波管位置から徐々に拡径する。ECR位置を被処理体1の表面近傍に設定し、励起度の高いプラズマを被処理体上に到達させて、処理効率を向上させる。
請求項（抜粋）：
真空容器内で原料ガスに電磁波と磁界とを作用させて生ずる電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマにより被処理体を処理するECRプラズマ処理装置において、プラズマ生成位置から被処理体に至る少なくとも一部区間のプラズマ流束を包囲する筒体を設けたことを特徴とするECRプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 21/31
