真空処理方法および真空処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034872
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】真空処理特性の向上、再現性向上、均一性向上の他、真空処理速度の向上、真空処理コストの低減を達成する。【解決手段】反応容器101内には複数の高周波電極102が設置され、第1の高周波電源103、第2の高周波電源113、第3の第3の高周波電源115、および第4の高周波電源117より異なる周波数の高周波電力がマッチングボックス104、116を経て高周波電極102の両端に供給される。供給される10MHz以上250MHz以下の高周波電力のうちの最も高い電力の電力値P1と、次に大きい電力値P2との電力比率の関係が、0.1≦P2/(P1+P2)≦0.9を満たしている。

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器中に被処理物を設置し、高周波電極より前記反応容器内に導入された高周波電力によって前記反応容器内にプラズマを形成して被処理物を真空処理する真空処理方法において、少なくとも1つの前記高周波電極上の少なくとも2つの電力供給点の各々に複数の高周波電力を同時に供給する工程を含み、前記複数の高周波電力は周波数が10MHz以上250MHz以下の高周波電力を少なくとも2つ含み、該周波数範囲内にある高周波電力が有する電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力について、そのうち周波数の高い方の高周波電力の電力値をP1、周波数をf1、周波数の低い方の高周波電力の電力値をP2、周波数をf2としたとき、前記電力値P1、P2が、0.1≦P2/(P1+P2)≦0.9の条件を満たすことを特徴とする真空処理方法。

IPC (3件)：

C23C 16/509 , G03G 5/08 360 , H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/509 , G03G 5/08 360 , H01L 21/205

Fターム (33件)：

2H068DA13 , 2H068EA25 , 2H068EA30 , 2H068EA36 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BA37 , 4K030CA02 , 4K030CA16 , 4K030FA03 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA08 , 4K030KA15 , 4K030KA46 , 4K030KA47 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AD06 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045EC01 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EM10

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