特許

J-GLOBAL ID：200903059101462960

Si含浸SiC質ハニカム構造体およびそれを使用したハニカム状蓄熱体

発明者： 熊澤 和彦 ,  小谷 亘 ,  半澤 茂
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-226595
公開番号（公開出願番号）：特開平8-094268
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】1000°C以上の高温の腐食性雰囲気下で使用される蓄熱体を構成するのに好適なSi含浸SiC質ハニカム構造体およびそれを使用したハニカム状蓄熱体を提供する。【構成】気孔率が3%以下のSi含浸SiCから構成され、壁厚が0.5mm以上となるようSi含浸SiC質ハニカム構造体2を構成する。そして、ハニカム状蓄熱体1を、複数の上記構成のSi含浸SiC質ハニカム構造体2を、一方向に貫通孔3から構成される流路が揃うように積み重ねてなり、貫通孔3に排ガスと被加熱ガスとを交互に通過させて排ガス中の廃熱を回収するよう構成する。

請求項（抜粋）：

気孔率が3%以下のSi含浸SiC質から構成され、壁厚が0.5mm以上であることを特徴とするSi含浸SiC質ハニカム構造体。